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一、導(dǎo)語本文將為您揭示mos管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的三個(gè)極:源極、漏極和柵極,以及它們?cè)陔娐穲D中的重要角色。我們將探討mos管的設(shè)計(jì)創(chuàng)新,如何通過優(yōu)化這三個(gè)極的配置,實(shí)現(xiàn)更高效、更可靠的電子設(shè)備。二、mos管的三個(gè)極:源極、漏極和柵極源極...
振邦微科技 2024-02-26 電路相關(guān) 204 ℃ 2 評(píng)論 查看詳細(xì)在升降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中,MOS管作為關(guān)鍵元件,發(fā)揮著不可或缺的作用。那么,這一微型設(shè)備是如何實(shí)現(xiàn)升降壓轉(zhuǎn)換的呢?又為何需要使用MOS管呢?本文將一一為你揭開這些謎團(tuán)。一、升降壓IC簡述升降壓轉(zhuǎn)換器(升降壓IC)是一種常用的電源管理芯片,其能實(shí)現(xiàn)輸出電壓的高效調(diào)節(jié)...
振邦微科技 2023-10-30 電路相關(guān) 360 ℃ 3 評(píng)論 查看詳細(xì)MOS管的三個(gè)極分別是什么?G(柵極),D(漏極)s(源及),要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,漏極和源及才能導(dǎo)通...
振邦微科技 2023-05-16 芯片常識(shí) 86 ℃ 3 評(píng)論 查看詳細(xì)d4148mos管參數(shù)D4148MOS管是一和薯種N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管,其參數(shù)如下:1.最大漏極-源極電壓(VDSmax):30V2.最大柵極-源極電壓(VAHmax):20V3.最大柵極功率耗散(PDmax):250mW4.最大漏極電流(I...
振邦微科技 2023-05-16 芯片常識(shí) 167 ℃ 3 評(píng)論 查看詳細(xì)場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)三個(gè)腳怎么區(qū)分?N和P怎么區(qū)分?場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔,用兩表筆分別測(cè)量每兩個(gè)管腳間的正、反向...
振邦微科技 2023-05-12 芯片常識(shí) 140 ℃ 3 評(píng)論 查看詳細(xì)MOS管是什么?MOS管一般又叫場(chǎng)效應(yīng)管mos管,與二極管和三極管不衡肢同mos管,二極管只能通過正向電流,反向截止,不能控制,三極管通俗講就是小電流放大成受控的大電流,MOS管是小電壓控制電流的。MOS管的輸入電阻極大,兆歐級(jí)的,容易驅(qū)動(dòng),但是價(jià)格比三極管...
振邦微科技 2023-05-11 芯片常識(shí) 178 ℃ 3 評(píng)論 查看詳細(xì)