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1、場效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VAH(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);
2、場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。
3 、利用多數(shù)載流子導(dǎo)電 ,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;
4、組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);
5、場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng);
6 、由于它不存在雜亂運(yùn)動的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。
擴(kuò)展資料:
場效應(yīng)管分為接合型場效應(yīng)管和MOS型場效應(yīng)管兩類 。
接合型場效應(yīng)管即使柵極電壓為零,也有電流流通 ,因此用于恒定電流源或因低噪音而用于音頻放大器等。
MOS型場效應(yīng)管因其結(jié)構(gòu)簡單、速度快,且柵極驅(qū)動簡單、具有耐破壞力強(qiáng)等特征,而且使用微細(xì)加工技術(shù)的話 ,即可直接提高性能,因此被廣泛使用于由LSI的基礎(chǔ)器件等高頻器件到功率器件(電力控制器件)等的領(lǐng)域中。
參考資料來源:百度百科——場效應(yīng)管
MOS管的原理:
它是利用VAH來控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷 ”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的 。在制造管子時(shí) ,通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道 ,即使在VAH=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí),溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變 ,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
作用:
1 、可應(yīng)用于放大電路 。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
2、很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換 。
3、可以用作可變電阻。
4 、可以方便地用作恒流源。
5、可以用作電子開關(guān) 。
簡介:
mos管 ,即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管?;蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,都是在P型backgate中形成的N型區(qū) 。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的 ,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
結(jié)構(gòu)特點(diǎn):
MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示;其導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子(多子)參與導(dǎo)電,是單極型晶體管 。導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同,但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別 ,小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?,功率MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),又稱為VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。
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n溝道m(xù)os管? ? ? ? ? ? ? ? ?
p溝道m(xù)os管
其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層 ,因此具有很高的輸入電阻,該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓,且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管 。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時(shí) ,就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。
MOS場效應(yīng)管屬于電壓控制元件mos場效應(yīng)管屬于什么控制器件,這一點(diǎn)類似于電子管mos場效應(yīng)管屬于什么控制器件的三極管,但它mos場效應(yīng)管屬于什么控制器件的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同mos場效應(yīng)管屬于什么控制器件的。
通常被用于放大電路或開關(guān)電路 。而在主板上的電源穩(wěn)壓電路中 ,MOS主要是判斷電位,它在主板上常用“Q”加數(shù)字表示。
場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu),它是在一塊N型半導(dǎo)體的兩邊 雜質(zhì)擴(kuò)散出高濃度的P型 ,用P 在漏、源極間加上正向電壓,N區(qū)中的多子(也 電子) 導(dǎo)電。 從源極S出發(fā),流向漏極D 。電流方向由D指向S
O O O
I -------I--------------I------------------I----------I
I 源極S 柵極 K 漏極D I
I N + P+ N+ I
i----------------------------------------------------I-
三極管和場效應(yīng)管是在放大 、開關(guān)電路中應(yīng)用非常普遍的電子元件。
1、三極管
最初發(fā)明的是三極管 ,以其優(yōu)異的性能迅速代替了電子管,但后來在應(yīng)用中三極管暴露出一些先天不足--結(jié)構(gòu)上問題所導(dǎo)致的缺陷,在這種形勢下迫切要求制造一種能夠克服三極管缺陷的晶體管,于是場效應(yīng)管就應(yīng)用而生了。
2、場效應(yīng)管
最大特點(diǎn)就是輸入阻抗極高 ,這是三極管無法比擬的,然而它的出現(xiàn)并沒有像晶體管淘汰電子管一樣而完全取代三極管,它也不是萬能的 ,在有些方面不如三極管,因此不能籠統(tǒng)的說誰好誰不好。
由于場效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上研制而成的,所以它許多方面和三極管有相似的地方 ,二者珠聯(lián)璧合應(yīng)用廣泛 。
擴(kuò)展資料:
三極管和場效應(yīng)管的區(qū)別
1、電極區(qū)別
三極管有基極b 、發(fā)射極e、集電極c三個(gè)電極,場效應(yīng)管也有G極、源極S 、漏極D三個(gè)電極,它們二者有對應(yīng)關(guān)系 ,電極的作用相似,即基極-柵極都是控制極,發(fā)射極對應(yīng)源極 ,集電極對應(yīng)漏極,都是被控電極。
2、控制類型
三極管是電流控制型器件,也就是通過基極電流的變化控制集電極電流的變化;場效應(yīng)管屬于電壓控制型器件,也就是通過柵極電壓的變化來控制源漏極電流大小。
二者的工作原理是不同的 ,三極管是通過基極電流來控制集電極電流大小的,而場效應(yīng)管是通過柵壓改變導(dǎo)電溝道的寬度來控制電流的變化 。
3、阻抗差別
三極管輸入阻抗較低,在幾百歐姆-幾千歐姆之間 ,基極電流較大,輸出電阻較高,對前級電路影響較大 ,阻抗不匹配時(shí)幾乎不能工作;場效應(yīng)管的輸入阻抗極高,達(dá)到兆歐以上,MOS管更高 ,柵極幾乎沒有電流,對前級電路影響較小,和三極管一樣輸出電阻也較高。
目前主板或顯卡上使用的MOS管并不太多 ,一般有10個(gè)左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中 。因?yàn)镸OS管主要為配件提供穩(wěn)定的電壓,所以一般用在CPU 、AGP插槽、內(nèi)存插槽附近。其中,CPU和AGP插槽附近布置了一組MOS管,而內(nèi)存插槽共用一組MOS管。一般來說 ,MOS管兩個(gè)一組出現(xiàn)在主板上 。工作原理雙極晶體管將輸入端的小電流變化放大,然后在輸出端輸出大的電流變化。雙極晶體管的增益定義為輸出電流與輸入電流之比(β)。另一種晶體管叫FET,把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化 。它們是電流控制裝置和電壓控制裝置。FET的增益等于其跨導(dǎo))gm ,跨導(dǎo)定義為輸出電流的變化與輸入電壓的變化之比。FET的名字也來源于它的輸入柵極(稱為gate),它通過在絕緣層(氧化物SIO2)上投射電場來影響流經(jīng)晶體管的電流。實(shí)際上沒有電流流過這個(gè)絕緣體(只是電容的作用),所以FET的柵極電流很小(電容的電流損耗) 。最常見的FET在柵電極下使用一薄層二氧化硅作為絕緣體。這種晶體管被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管 ,或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
關(guān)于mos場效應(yīng)管屬于什么控制器件和mos場效應(yīng)管工作原理的介紹到此就結(jié)束了,不知道你從中找到你需要的信息了嗎 ?如果你還想了解更多這方面的信息,記得收藏關(guān)注本站 。
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