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場效應(yīng)管和mos管區(qū)別主要體現(xiàn)在:主體不同、特性不同和規(guī)則不同。
主體不同
場效應(yīng)管:V型槽MOS場效應(yīng)管 。是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效 、功率開關(guān)器件。
MOS管:金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管屬于絕緣柵型。
特性不同
場效應(yīng)管:不僅繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動電流小(左右0.1μA左右),還具有耐壓高(最高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5a~100A) 、輸出功率高(1~250W)、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性 。
MOS管:主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層 ,因此具有很高的輸入電阻(最高可達(dá)1015Ω)。
規(guī)則不同
場效應(yīng)管:將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍) 、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。
MOS管:當(dāng)VAH =0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加上正確的VAH 后 ,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增強(qiáng) ”了該區(qū)域的載流子,形成導(dǎo)電溝道 。
MOS管作用mos管場效應(yīng)管:用途廣泛 ,包括電視機(jī)高頻頭(高頻,小電流)到開關(guān)電源(高壓大電流),現(xiàn)在把MOS和雙極型(普通三極管)復(fù)合在一起(IGBT,絕緣柵雙極型晶體管) ,廣泛應(yīng)用于大功率領(lǐng)域。
在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域,CMOS指保存計(jì)算機(jī)基本啟動信息(如日期、時(shí)間、啟動設(shè)置等)mos管場效應(yīng)管的芯片。人們會把CMOS和BIOS混稱,其實(shí)CMOS是主板上的一塊可讀寫的并行或串行FLASH芯片 ,是用來保存BIOS的硬件配置和用戶對某些參數(shù)的設(shè)定。
MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET) 。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型也叫P溝道型 。
擴(kuò)展資料:
當(dāng)CMOS被使用來作數(shù)字影像器材的感光元件使用,稱有源像素感測器(Active Pixel Sensor) , 例如高分辨率數(shù)字?jǐn)z影機(jī)與數(shù)碼相機(jī),尤其是片幅規(guī)格較大的數(shù)碼單反相機(jī)更常見到CMOS的應(yīng)用。
另外消費(fèi)型數(shù)碼相機(jī)及附有照相功能的手機(jī)亦開始使用堆疊式有源像素感測器(Stacked CMOS,也有人譯為積層式有源像素感測器或堆棧式有源像素感測器) 或背面照射式有源像素感測器(BSI CMOS) ,使成像質(zhì)量得以提升。 跟傳統(tǒng)的電荷耦合元件(CCD)相比,由于CMOS每粒像素都設(shè)有放大器,所以數(shù)據(jù)傳輸速度很高 。
雖然在用途上與過去CMOS電路主要作為固件或計(jì)算工具的用途非常不同 , 但基本上它仍然是采取CMOS的工藝,只是將純粹邏輯運(yùn)算的功能轉(zhuǎn)變成接收外界光線后轉(zhuǎn)化為電能,再透過芯片上的數(shù)字─模擬轉(zhuǎn)換器(ADC)將獲得的影像信號轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字信號輸出。
參考資料來源:百度百科——場效應(yīng)管
參考資料來源:百度百科——mos管
參考資料來源:百度百科——CMOS
mos管的作用:可應(yīng)用于放大電路。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小 ,不必使用電解電容器 。很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。可以用作可變電阻 ??梢苑奖愕赜米骱懔髟?。可以用作電子開關(guān)。
MOS管為壓控元件,只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通,它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣 ,導(dǎo)通結(jié)的壓降最小,常說的精典是開關(guān)作用。去掉這個(gè)控制電壓經(jīng)就截止 。
MOS管即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于場效應(yīng)晶體管中的絕緣柵型。因此 ,MOS管有時(shí)被稱為場效應(yīng)管。在一般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路 。
MOS管的特性
開關(guān)特性。MOS管是壓控器件,作為開關(guān)時(shí) ,NMOS只要滿足VgsVgs(th)即可導(dǎo)通,PMOS只要滿足Vgs。
開關(guān)損耗 。MOS的損耗主要包括開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通損耗是由于導(dǎo)通后存在導(dǎo)通電阻而產(chǎn)生的 ,導(dǎo)通電阻都很小。開關(guān)損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進(jìn)入夾斷區(qū)的過程中,MOS處于恒流區(qū)時(shí)所產(chǎn)生的損耗。開關(guān)損耗遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗 。減小損耗通常有兩個(gè)方法,一是縮短開關(guān)時(shí)間,二是降低開關(guān)頻率。
由壓控所導(dǎo)致的的開關(guān)特性。由于制作工藝的限制 ,NMOS的使用場景要遠(yuǎn)比PMOS廣泛,因此在將更適合于高端驅(qū)動的PMOS替換成NMOS時(shí)便出現(xiàn)了問題 。
在寬電壓的應(yīng)用場景中,柵極的控制電壓很多時(shí)候是不確定的 ,為了保證MOS管的安全工作,很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管來限制柵極的控制電壓。
MOS管一般又叫場效應(yīng)管,與二極管和三極管不同 ,二極管只能通過正向電流,反向截止,不能控制 ,三極管通俗講就是小電流放大成受控的大電流,MOS管是小電壓控制電流的。
MOS管的輸入電阻極大,兆歐級的 ,容易驅(qū)動,但是價(jià)格比三極管要高,一般適用于需要小電壓控制大電流的情況,電磁爐里一般就是用的20A或者25A的場效應(yīng)管。
拓展資料:
MOS電容的特性能被用來形成MOS管 。Gate ,電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個(gè)稱為source,另一個(gè)稱為drain 。假設(shè)source 和backgate都接地,drain接正電壓。
根據(jù)客戶要求的不同 ,我司有針對mos管場效應(yīng)管產(chǎn)品多種技術(shù)處理方案,技術(shù)資料也有所不同,所以不能直接呈現(xiàn) ,有需求的客戶請與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001,謝謝!
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本文標(biāo)簽:mos管場效應(yīng)管芯片控制驅(qū)動
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