mos管的三個極分別是什么？

G（柵極），D（漏極）s（源及） ，要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導(dǎo)通

MOS管的三個電極分別為Us=－5V,Ug=1V,Ud=3V,Ugs(th)=4V為什么此時的工作狀

算一下幾個值就好了
，UAH =6V。UDS=8V 。

根據(jù)NMOS增強(qiáng)型場效應(yīng)管（UAH th就說明了是增強(qiáng)型，電壓UDUS說明是N溝道）的狀態(tài)判斷條件：納謹(jǐn)

當(dāng)UAH UAH th時 ，截止（關(guān)斷區(qū)）；

UDSUAH -UAH (th)時
，可變電阻區(qū)（相當(dāng)于三極管飽和區(qū)）；

UDS=UAH -UAH (th)時，預(yù)夾斷（恒流區(qū)與可變電阻區(qū)的臨界點(diǎn)）；

UDSUAH -UAH (th)時 ，恒流區(qū)（相當(dāng)于三極管放大區(qū)）；

你現(xiàn)在可以計算一下：UDS=8VUAH -UAH (th)=2V
，所以明顯是屬于恒流區(qū)，此時對于每洞孝基個UAH  ，都有一個iD與它對應(yīng)
，MOS管可視為電壓UAH 控制的恒流源。

你可以參考：童慎悔詩白，《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》第四版 ，P46頁
。

請問主板上MOS管的輸入電壓,輸出電壓和控制電壓的關(guān)系

通俗點(diǎn)手源說
，就是用G極的控制電壓來控制MOS管的導(dǎo)通，飽和 ，截止等狀態(tài)。使得D極的輸入電壓，在S極的輸出電雀漏壓上體現(xiàn)畢歲態(tài)出不同的狀態(tài) 。

mos管的三個極？

MOS管三個極
，分別是柵極（G）源極（S）和漏極（D）
。

MOS器件是電壓控制型器件，察氏搏用柵極電壓來控敗祥制源漏的導(dǎo)通情況。

MOS管和三極管截止區(qū)：

NMOS管的如果柵壓小于閾值電壓 ，MOS管相當(dāng)于兩個背靠背的二極管
，不導(dǎo)通 。

NPN三極管也一樣，如果偏壓小于閾值電壓 ，也相當(dāng)于兩個背靠背的二極管
，不導(dǎo)通
。

MOS管飽和區(qū)的介紹：

NMOS在漏極電壓比較高時，會使溝道夾斷 ，之核羨后即使電壓升高
，電流不會再升高，因此叫做飽和區(qū)。

NPN三極管在集電極電壓比較高時 ，也會幾乎全部收集到從發(fā)射極過來的電子
，電壓再升高也沒有辦法收集到更多，也是它的飽和區(qū) 。

mos管的三個極電壓關(guān)系

關(guān)系簡弊是S極電壓可以無條件到D極 ，MOS管就失去了開關(guān)的作用
。MOS管是指場效應(yīng)晶體管，有G(gate柵極)/D(drain漏極)/S(source源攔猛族極)三個端口
，分為PMOS管(P溝道知拿型)和NMOS(N溝道型)兩種。

mOS管導(dǎo)通后的Vgs是多少？和剛滿足導(dǎo)通條件時的電壓有什么關(guān)系

MOS管導(dǎo)通后的Vgs電壓始終為做陸租該管的開啟電壓，和剛滿足導(dǎo)通條件時比較 ，導(dǎo)通后隨著源極S電位的升高
，Vg電壓也要升高，在漏極電流不變的的情況下Vgs是個常數(shù) 。

N溝道與P溝道是不一樣的
。如N溝道管 ，導(dǎo)通后Vgs與“偏置”電路有關(guān)
，與其他無關(guān)。Vgs越大則導(dǎo)通電阻越小 。P溝道是相反的（在無“偏置 ”時，即正常時是導(dǎo)通的）。

mOS管注意：

1、為了安全使用MOS管 ，在線路的設(shè)計中不能超過管的耗散功率
，最大漏源電壓 、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極悉逗限值
。

2、各類型MOS管在使用時，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中 ，要遵守MOS管偏置的極性
，如結(jié)型MOS管柵源漏之間是PN結(jié)。純兆N溝道管柵極不能加正偏壓，P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓 。

根據(jù)客戶要求的不同 ，我司有針對mos管的三個極電壓關(guān)系產(chǎn)品多種技術(shù)處理方案，技術(shù)資料也有所不同
，所以不能直接呈現(xiàn)，有需求的客戶請與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001 ，謝謝！