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mos管的放大區(qū)就是飽和區(qū),mos的三種狀態(tài)沒有擊穿區(qū) ,是截至區(qū) ,擊穿區(qū)可以定義為第四種狀態(tài) 。
估計mos管三種狀態(tài)你沒有好好看過書,這個問題在模電書上寫得十分清楚mos管三種狀態(tài):
對于MOSFET而言 ,
(1) |Ugs|Ugs(th):截止區(qū):
(2)|Ugs|Ugs(th),然后比較|Uds|與Ugs-Ugs(th)mos管三種狀態(tài)的大?。?/p>
如果相等:預(yù)夾斷mos管三種狀態(tài);
如果小于:可變電阻區(qū)mos管三種狀態(tài);
如果大于:恒流區(qū);
下面問題簡單了:
第一個,ugs=6V ,uds=8V,恒流區(qū)
第二個,ugs=0V,截止區(qū);
第三個 ,ugs=-6V,uds=-1V,可變電阻區(qū);這個管子是p溝道增強型MOSFET ,其他兩個都是N-MOSFET
這是個自給偏置的電路結(jié)構(gòu)mos管三種狀態(tài) ,所以柵極電壓確定mos管三種狀態(tài)了,那么源極電壓也就確定了mos管三種狀態(tài);
另外BSS169為N溝道耗盡型場效應(yīng)管,在 Ugs=0V ,即具有導(dǎo)通能力,也就是說,Ug=5V時 ,Us=5V。
MOS管是一種晶體管,可以理解為:一個受電壓控制的電阻。根據(jù)電壓的大小可以調(diào)節(jié)MOS管的電阻大小,在工作中的MOS管根據(jù)電阻的大小可以分為三種區(qū)域(三種狀態(tài)):
1 、導(dǎo)通區(qū)(電阻幾乎為0,一般就是幾十mΩ ,相當(dāng)于短路);
2、可變電阻區(qū)(類似一個可調(diào)電阻,阻值大小受電壓控制);
3、截止區(qū)(電阻幾乎無窮大,相當(dāng)于斷路) 。
應(yīng)用范圍很廣 ,可大體分為幾種狀態(tài):
1 、MOS工作在導(dǎo)通區(qū)或者截止區(qū)的時候可以當(dāng)開關(guān)使用。外加AH M信號可以用于調(diào)壓,電機調(diào)速等方面。
2、幾個MOS管搭配可以起到單向?qū)ǖ淖饔茫愃贫O管單向?qū)ǎ?,比二極管有優(yōu)勢的地方是壓降小、功耗低 ,導(dǎo)通電流大 。低電壓大電流的情況下優(yōu)勢更明顯;
3 、工作在可變電阻區(qū)的時候可以當(dāng)一個電阻使用,一般集成芯片中的電阻就是使用這種方式的電阻,優(yōu)勢是生產(chǎn)方便 ,體積小巧。
4、工作在可變電阻區(qū)還可以起到放大的作用,與三極管放大電路類似。
一共分四個區(qū):可變阻區(qū)mos管三種狀態(tài);預(yù)夾斷區(qū)mos管三種狀態(tài);飽和區(qū)mos管三種狀態(tài),恒流區(qū)或放大區(qū);截止區(qū)或全夾斷區(qū)。JFET則分為:可變阻區(qū);飽和區(qū)mos管三種狀態(tài) ,恒流區(qū)或放大區(qū)mos管三種狀態(tài),截止區(qū);全夾斷區(qū)
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