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MOS場效應(yīng)管分J型,增強(qiáng)型 ,耗盡型。一般來說N溝道是導(dǎo)電溝道是N型半導(dǎo)體,P溝道是P型半導(dǎo)體,然后再區(qū)分柵極壓降是要正開啟還是負(fù)開啟 。
mos場效應(yīng)管在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層 ,因此具有極高的輸入電阻。
結(jié)型場效應(yīng)管在柵極與溝道之間是反偏的pn結(jié)形成的門極電壓控制。所以輸入電阻不及mos場效應(yīng)管 。
場效應(yīng)管
簡介
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 -
氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管 。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小 、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成 、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn) ,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
特點(diǎn)
與雙極型晶體管相比,場效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。
場效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VAH(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);
場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大 。
它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電 ,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;
它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);
場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng);
由于它不存在雜亂運(yùn)動的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。
作用
場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小 ,不必使用電解電容器 。
場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
場效應(yīng)管可以用作可變電阻 。
場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。
場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
mos管的電路符號
1)G、D 、S極怎么區(qū)分?
G極是比較好區(qū)分的mos管n溝道與p溝道區(qū)別,大家一眼就能區(qū)分 。
不論是P溝道m(xù)os管還是N溝道,兩根線相交的就是S極。
不論是P溝道還是N溝道 ,單獨(dú)引線的那邊就是D極。
2)N、P溝道如何區(qū)分?
箭頭指向G極的就是N溝道 。
箭頭背向G極的就是P溝道。
3)寄生二極管方向
N溝道,由S極指向D極。
P溝道,由D極指向S極。
MOS管導(dǎo)通條件
N溝道mos管n溝道與p溝道區(qū)別:UgUs時(shí)導(dǎo)通 。(簡單認(rèn)為)Ug=Us時(shí)截止。
P溝道:UgUs時(shí)導(dǎo)通。(簡單認(rèn)為)Ug=Us時(shí)截止 。
注意一點(diǎn) ,MOS管做開關(guān)器件的時(shí)候,輸入輸出一定不能接反,接反的寄生二極管一直處于導(dǎo)通狀態(tài) ,MOS本身就失去開關(guān)的作用了。
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MOSFET-P和MOSFET-N的區(qū)別:
1、MOSFET-P是P溝道,MOSFET-N是N溝道;
2、為了能正常工作,NMOS管外加的Vds必須是正值,開啟電壓VT也必須是正值 ,實(shí)際電流方向?yàn)榱魅肼O。
而與NMOS不同,PMOS管外加的Vds必須是負(fù)值,開啟電壓VT也必須是負(fù)值 ,實(shí)際電流方向?yàn)榱鞒雎O 。
N溝道和P溝道MOSFET分為增強(qiáng)型和耗盡型。
如圖為增強(qiáng)型N溝道 、P溝道MOSFET。
P MOSFET除了代表襯底的B的箭頭方向外,其他部分均與NMOS相同 。
N溝道增加型MOSFET管溝道產(chǎn)生的條件為:VAH 大于等于 VT
可變電阻區(qū)與飽和區(qū)的界線為? VDS= VAH-VT。
在可變電阻區(qū)內(nèi):VAH =VT, VDS? = VAH-VT。
在飽和區(qū)內(nèi):?????? VAH=VT ,?? VDS? = VAH-VT 。
P溝道增加型MOSFET管溝道產(chǎn)生的條件為:VAH 小于等于 VT
可變電阻區(qū)與飽和區(qū)的界線為? VDS= VAH-VT。
在可變電阻區(qū)內(nèi):VAH =VT, VDS = VAH-VT。
在飽和區(qū)內(nèi):?????? VAH=VT, VDS? = VAH-VT。
關(guān)于mos管n溝道與p溝道區(qū)別和p溝道和n溝道的mos管的原理圖片的介紹到此就結(jié)束了 ,不知道你從中找到你需要的信息了嗎 ?如果你還想了解更多這方面的信息,記得收藏關(guān)注本站 。
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本文標(biāo)簽:mos管n溝道與p溝道區(qū)別控制恒流
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