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用數(shù)字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法四腳mos管怎么測試好壞:以N溝道MOS場效應(yīng)管為例 。
一 、先確定MOS管的引腳:
1、先對MOS管放電四腳mos管怎么測試好壞,將三個腳短路即可四腳mos管怎么測試好壞;
1、首先找出場效應(yīng)管的D極(漏極)。對于TO-252、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場效應(yīng)管 ,它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的,故四腳mos管怎么測試好壞我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測量管子的各個引腳,哪個引腳與散熱片相連,哪個引腳就是D極。
2 、找到D極后 ,將萬用表調(diào)至二極管檔;
3、用黑表筆接觸管子的D極,用紅表筆分別接觸管子的另外兩個引腳。若接觸到某個引腳時,萬用表顯示的讀數(shù)為一個硅二極管的正向壓降 ,那么該引腳即為S極(源極),剩下的那個引腳即為G極(柵極) 。
二、MOS管好壞的測量:
1 、當把紅表筆放在S極上,黑表筆放在D極上 ,可以測出來這個導(dǎo)通壓降,一般在0.5V左右為正常;
2、G腳測量,需要先對G極充下電 ,把紅表筆放在G極,黑表筆放在S極;
3、再次把紅表檔行純筆放在S極上,黑表筆放在D極上 ,可以測出來這個放大壓降,一般在0.3V左右為正常;
擴展資料
MOS管的主要參數(shù)
1 、開啟電壓VT
開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;
標準的N溝道MOS管,VT約為3~6V;通過工藝上的改進,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
2、直流輸入電阻RAH
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
MOS管的RAH 可以很容易地超過1010Ω。
3.、漏源擊穿電壓BVDS
在VAH =0(增強型)的條件下 ,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
ID劇增的原因有下列兩個方面:
(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿;
(2)漏源極間的穿通擊穿;
有些MOS管中,其溝道長度較短,不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū) ,使溝道長度為零,即產(chǎn)生漏源間的穿通,穿通后 ,源區(qū)中的多數(shù)載流子,將直接受耗盡層電場的吸引,到達漏區(qū) ,產(chǎn)生大的ID 。
4 、柵源擊穿電壓BVAH
在增加?xùn)旁措妷哼^程中,使柵極電流IG由零開始劇增時的VAH ,稱為柵源擊穿電壓BVAH 。
5、低頻跨導(dǎo)gm
在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ,漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo);
gm反映四腳mos管怎么測試好壞了柵源電行咐壓對漏極電流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)
一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)
6、導(dǎo)通電阻RON
導(dǎo)通電阻RON說明帶姿了VDS對ID的影響,是漏極特性某一點切線的斜率的倒數(shù)
在飽和區(qū),ID幾乎不隨VDS改變 ,RON的數(shù)值很大,一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由于在數(shù)字電路中,MOS管導(dǎo)通時經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下 ,所以這時的導(dǎo)通電阻RON可用原點的RON來近似
·對一般的MOS管而言,RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)
7 、極間電容
三個電極之間都存在著極間電容:柵源電容CAH 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
CAH 和CGD約為1~3pF,CDS約在0.1~1pF之間
8、低頻噪聲系數(shù)NF
噪聲是由管子內(nèi)部載流子運動的不規(guī)則性所引起的。·由于它的存在 ,就使一個放大器即便在沒有信號輸人時,在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示,它的單位為分貝(dB) 。這個數(shù)值越小 ,代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)
場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝,它比雙極性三極管的要小
首先,斷開控制器與電源連接,把控制器粗黑線與粗紅線碰接短路 ,這樣做的目的是放完內(nèi)部電容余電。
然后,把三根粗黃線對粗黑碰線短接,目的同上。一定要放電后再進行測量 。這三根粗黃線實際上是三根相線。
做完以上準備工作后,按以下三個步驟操作 ,即可判斷控制器好壞。
第一步:將萬用表置于二極管檔測量,用紅表筆接控制器負極,黑表筆依次測量控制器主線中的黃、綠 、藍線 ,讀數(shù)約在500左右(數(shù)字萬用表),三次讀數(shù)應(yīng)基本一致 。
第二步:用萬用表黑表筆接控制器正極,紅表筆依次接控制器主線黃、綠、藍線 ,讀數(shù)約在500左右,三次讀數(shù)應(yīng)基本一致
第三步:如果第一 、二步的測量正常,則表示無刷控制器基本正常 ,把控制器與車體線路正常連接此空散,接通電源,拔掉制動線 ,用萬用表電壓檔測量轉(zhuǎn)把5V電壓森氏是否正常。
若以上測試正常,表示控制器基本正常,否則可判定控制器損壞。
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電動車控制器的作用
2、在轉(zhuǎn)把的控制下改變電機驅(qū)動電流,從而實現(xiàn)電機速度的調(diào)整 。
3 、在閘把(剎把)的控制下切斷輸出電流 ,實現(xiàn)剎車控制。
4、對蓄電池電壓進行檢測,在蓄電池存儲的電壓接近“放電終止電壓 ”時,通過控制器面板(或儀表顯示盤)來顯示電量不足;提醒騎行者調(diào)整自己的行程 ,當達到終止電壓時,通過取樣電虧沒阻將該信號送到比較器,由電路輸出保護信號 ,致使、保護電路按預(yù)先設(shè)定的程序發(fā)出指令,切斷電流以保護充電器和蓄電池。
5 、過流保護,電流過大時過流保護電路動作 ,使電機停轉(zhuǎn),避免過流給電機和控制器帶來危害 。另外,部分控制器還具有防飛車保護、巡行限速等功能。
以N溝道MOS場效應(yīng)管5N60C為例四腳mos管怎么測試好壞 ,來詳細介紹一下具體四腳mos管怎么測試好壞的測量方法。
1.N溝道MOS場效應(yīng)管好壞四腳mos管怎么測試好壞的測量方法
2.用數(shù)字萬用表二極管檔正向測量5N60C的D-S兩極 。
測量5N60C好壞時,首先將萬用表量程開關(guān)調(diào)至二極管檔,將5N60C的G極懸空,用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極 ,若是好的管子,萬用表顯示為“OL”,即溢出(見上圖)。
3.用數(shù)字萬用表二極管檔反向測量5N60C的D-S兩極。
然后調(diào)換紅黑表筆 ,再去測量D-S兩極,則萬用表顯示的讀數(shù)為一個硅二極管的正向壓降(見上圖) 。
若MOS場效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞,用二極管檔測量時 ,萬用表顯示的讀數(shù)接近于零。
4.用萬用表的二極管檔給5N60C柵源兩極(G-S兩極)之間的電容充電。對于N溝道MOS場效應(yīng)管充電時,紅表筆應(yīng)接管子的G極,黑表筆接管子的S極 。
在測量完5N60C的D-S兩極 ,并且確實是好的之后,然后用二極管檔給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電源春容充電。
由于MOS場效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(GΩ讀作吉歐,1GΩ=1000MΩ) ,數(shù)字萬用表二極管檔的開路測量電壓約為2.8~3V,故用二極管檔的測量電壓給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后,可以使MOS場效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小,故用這個方法可以測量場效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞。
5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后 ,用電阻檔實測D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。
6.用萬用表電阻檔實測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω 。
上面為一個好的N溝道MOS場效應(yīng)管的測量數(shù)據(jù)。對于P溝道MOS場效應(yīng)管的測量方法與上述測量一樣,只是萬用表表筆需要調(diào)換一下極性。
擴展資料:
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的 ,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的 。
場效應(yīng)管(FET) ,把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance,定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管) 。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體 ,所以FET管的簡裂前GATE電流非常攔清小 。
最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
用一般指針表R*10K擋不但能測出好壞還能測出大致性能但要注意以下幾點
1 ,胡源有些MOS管在D、S , G 、S二極間接有反向二極管必需加以區(qū)別如二極正反向均通則必壞無疑 。故能以該法找出S極
2,如表筆接DS二早做判極并極性對應(yīng)以手指接觸黑表棒及G極可見管子導(dǎo)通當手指離開還可維侍導(dǎo)通數(shù)秒(以上抗指N增強型)。
3 ,如以元珠筆等塑料摩擦頭發(fā)使之帶電靠近G極也有如此反應(yīng)陸改、但切勿接觸有擊穿G極之可能。
測試MOS好壞只能用指針式萬用表才方便點,測試時選擇歐姆R×10K檔,這時電壓可達10.5V ,毀團紅筆是負電位,黑筆是正電位 。
測試步驟:
MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路 、放大。其步驟如下:碼余念
1、把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上 ,好的表針指示應(yīng)該是無窮大。如果有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象 。
2、用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和源極上,然后把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上遲困 ,這時表針指示的值一般是0,這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電,產(chǎn)生柵極電場,由于電場產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通 ,故萬用表指針偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)的角度大,放電性越好。
3 、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開 ,萬用表紅黑筆不變,如果移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無窮大,則MOS管漏電 ,不變則完好。
4、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來,如果指針立即返回?zé)o窮大,則MOS完好 。
一.紅左 ,黑中、右無窮大黑左,紅中 、右無窮大紅中,黑右無窮大;黑中紅右顯示530(左右)。其實場效應(yīng)管三極管很好判斷:有字面朝上從左到右依次為:G、D、S ,有些管相反:S 、D、G。我修顯示器、主板 、電源都是從上面的方法測絕對沒問題 。你不信隨便拆塊板看一看,場效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場效應(yīng)晶體管的檢測。
二.1判別各電極與管型。用萬用表R×100檔,測量場效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆,這時兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D ,而另一引腳為柵極G 。再用萬用表R×10k檔測量兩引腳(掘薯扒漏極D與源極S)之間的正、反向電阻值。正常時,正向電阻值為2kΩ左右,反向電阻值大于500kΩ。在測量反向電阻值時 ,紅表筆所接引腳不動,黑表筆脫離所接引腳后,先與柵極G觸碰一下 ,然后再去接原引腳,觀察萬用表讀數(shù)的變化情況 。若萬用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)?,則此紅表筆所接的即是源極S ,黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效,說明該管為N溝道場效應(yīng)管。若萬用表讀數(shù)仍為較大值,則黑表筆接回原引腳不變 ,改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳,若此時萬用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)?,則此時黑表筆接的為源極S,紅表筆接的是漏極D 。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效 ,說明該管為P溝道場效應(yīng)晶體管。
2.判別其好壞。用萬用表R×1k檔或R×10k檔,測量場效應(yīng)管任意兩腳之間的正、反向電阻值 。正常時,除漏極與源極的正向電阻值較小外 ,其余各引腳之間(G與D 、G與S)的正、反向電阻值均應(yīng)為無窮大。若測得某判昌兩極之間的電阻值接近0Ω,則說明該管已擊穿損壞。另外,還可以用觸發(fā)柵極(P溝道場效應(yīng)手逗晶體管用紅表筆觸發(fā) ,N溝道場效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā))的方法來判斷場應(yīng)管是否損壞 。若觸發(fā)有效(觸發(fā)柵極G后,D、S極之間的正 、反向電阻均變?yōu)?),則可確定該管性能良好。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.2因為柵極等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.3利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源。
根據(jù)客戶要求的不同 ,我司有針對四腳mos管怎么測試好壞產(chǎn)品多種技術(shù)處理方案,技術(shù)資料也有所不同,所以不能直接呈現(xiàn) ,有需求的客戶請與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001,謝謝!
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