在線
客服
在線客服服務(wù)時間:9:00-22:00
技術(shù)
熱線
131-4842-9910
7*12小時客服服務(wù)熱線
用數(shù)字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法:以N溝道MOS場效應(yīng)管為例。
一 、先確定MOS管的引腳:
1、先對MOS管放電,將三個腳短路即可;
1、首先找出場效應(yīng)管的D極(漏極) 。對于TO-252 、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場效應(yīng)管 ,它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的,故我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測量管子的各個引腳,哪個引腳與散熱片相連 ,哪個引腳就是D極。
2、找到D極后,將萬用表調(diào)至二極管檔;
3、用黑表筆接觸管子的D極,用紅表筆分別接觸管子的另外兩個引腳。若接觸到某個引腳時 ,萬用表顯示的讀數(shù)為一個硅二極管的正向壓降,那么該引腳即為S極(源極),剩下的那個引腳即為G極(柵極) 。
二 、MOS管好壞的測量:
1、當(dāng)把紅表筆放在S極上 ,黑表筆放在D極上,可以測出來這個導(dǎo)通壓降,一般在0.5V左右為正常;
2、G腳測量,需要先對G極充下電 ,把紅表筆放在G極,黑表筆放在S極;
3 、再次把紅表筆放在S極上,黑表筆放在D極上 ,可以測出來這個放大壓降,一般在0.3V左右為正常;
擴(kuò)展資料
MOS管的主要參數(shù)
1、開啟電壓VT
開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;
標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管,VT約為3~6V;通過工藝上的改進(jìn) ,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
2、直流輸入電阻RAH
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
MOS管的RAH可以很容易地超過1010Ω。
3.、漏源擊穿電壓BVDS
在VAH=0(增強(qiáng)型)的條件下,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
ID劇增的原因有下列兩個方面:
(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿;
(2)漏源極間的穿通擊穿;
有些MOS管中,其溝道長度較短 ,不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū),使溝道長度為零,即產(chǎn)生漏源間的穿通 ,穿通后,源區(qū)中的多數(shù)載流子,將直接受耗盡層電場的吸引,到達(dá)漏區(qū) ,產(chǎn)生大的ID 。
4 、柵源擊穿電壓BVAH
在增加?xùn)旁措妷哼^程中,使柵極電流IG由零開始劇增時的VAH,稱為柵源擊穿電壓BVAH。
5、低頻跨導(dǎo)gm
在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ,漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo);
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)
一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)
6、導(dǎo)通電阻RON
導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對ID的影響,是漏極特性某一點切線的斜率的倒數(shù)
在飽和區(qū) ,ID幾乎不隨VDS改變,RON的數(shù)值很大,一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由于在數(shù)字電路中 ,MOS管導(dǎo)通時經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下,所以這時的導(dǎo)通電阻RON可用原點的RON來近似
·對一般的MOS管而言,RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)
7 、極間電容
三個電極之間都存在著極間電容:柵源電容CAH、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
CAH和CGD約為1~3pF ,CDS約在0.1~1pF之間
8、低頻噪聲系數(shù)NF
噪聲是由管子內(nèi)部載流子運動的不規(guī)則性所引起的。·由于它的存在,就使一個放大器即便在沒有信號輸人時,在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示,它的單位為分貝(dB) 。這個數(shù)值越小 ,代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)
場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝,它比雙極性三極管的要小
以N溝道MOS場效應(yīng)管5N60C為例,來詳細(xì)介紹一下具體的測量方法。
1.N溝道MOS場效應(yīng)管好壞的測量方法
2.用數(shù)字萬用表二極管檔正向測量5N60C的D-S兩極。
測量5N60C好壞時 ,首先將萬用表量程開關(guān)調(diào)至二極管檔,將5N60C的G極懸空,用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極 ,若是好的管子,萬用表顯示為“OL”,即溢出(見上圖)。
3.用數(shù)字萬用表二極管檔反向測量5N60C的D-S兩極 。
然后調(diào)換紅黑表筆 ,再去測量D-S兩極,則萬用表顯示的讀數(shù)為一個硅二極管的正向壓降(見上圖)。
若MOS場效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞,用二極管檔測量時 ,萬用表顯示的讀數(shù)接近于零。
4.用萬用表的二極管檔給5N60C柵源兩極(G-S兩極)之間的電容充電 。對于N溝道MOS場效應(yīng)管充電時,紅表筆應(yīng)接管子的G極,黑表筆接管子的S極。
在測量完5N60C的D-S兩極,并且確實是好的之后 ,然后用二極管檔給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電。
由于MOS場效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(GΩ讀作吉歐,1GΩ=1000MΩ),數(shù)字萬用表二極管檔的開路測量電壓約為2.8~3V ,故用二極管檔的測量電壓給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后,可以使MOS場效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小,故用這個方法可以測量場效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞 。
5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后 ,用電阻檔實測D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。
6.用萬用表電阻檔實測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。
上面為一個好的N溝道MOS場效應(yīng)管的測量數(shù)據(jù) 。對于P溝道MOS場效應(yīng)管的測量方法與上述測量一樣,只是萬用表表筆需要調(diào)換一下極性。
擴(kuò)展資料:
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的 ,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū) 。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
場效應(yīng)管(FET) ,把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance,定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比 。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流 。事實上沒有電流流過這個絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。
最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管 ,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET) 。因為MOS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
一.紅左,黑中 、右無窮大黑左 ,紅中、右無窮大紅中,黑右無窮大;黑中紅右顯示530(左右)。其實場效應(yīng)管三極管很好判斷:有字面朝上從左到右依次為:G、D 、S,有些管相反:S、D、G 。我修顯示器 、主板、電源都是從上面的方法測絕對沒問題。你不信隨便拆塊板看一看 ,場效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場效應(yīng)晶體管的檢測。
二.1判別各電極與管型 。用萬用表R×100檔,測量場效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆,這時兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D ,而另一引腳為柵極G。再用萬用表R×10k檔測量兩引腳(漏極D與源極S)之間的正、反向電阻值。正常時,正向電阻值為2kΩ左右,反向電阻值大于500kΩ 。在測量反向電阻值時 ,紅表筆所接引腳不動,黑表筆脫離所接引腳后,先與柵極G觸碰一下,然后再去接原引腳 ,觀察萬用表讀數(shù)的變化情況。若萬用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)?,則此紅表筆所接的即是源極S,黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效 ,說明該管為N溝道場效應(yīng)管 。若萬用表讀數(shù)仍為較大值,則黑表筆接回原引腳不變,改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳 ,若此時萬用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)?,則此時黑表筆接的為源極S,紅表筆接的是漏極D。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效 ,說明該管為P溝道場效應(yīng)晶體管。
2.判別其好壞 。用萬用表R×1k檔或R×10k檔,測量場效應(yīng)管任意兩腳之間的正 、反向電阻值。正常時,除漏極與源極的正向電阻值較小外 ,其余各引腳之間(G與D、G與S)的正、反向電阻值均應(yīng)為無窮大。若測得某兩極之間的電阻值接近0Ω,則說明該管已擊穿損壞 。另外,還可以用觸發(fā)柵極(P溝道場效應(yīng)晶體管用紅表筆觸發(fā),N溝道場效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā))的方法來判斷場應(yīng)管是否損壞。若觸發(fā)有效(觸發(fā)柵極G后 ,D 、S極之間的正、反向電阻均變?yōu)?),則可確定該管性能良好。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.2因為柵極等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.3利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源 。
關(guān)于mos場效應(yīng)管判斷好壞和mos場效應(yīng)管工作原理的介紹到此就結(jié)束了,不知道你從中找到你需要的信息了嗎 ?如果你還想了解更多這方面的信息 ,記得收藏關(guān)注本站。
推薦閱讀:
本文標(biāo)簽:mos場效應(yīng)管判斷好壞控制大功率
版權(quán)說明:如非注明,本站文章均為 深圳市振邦微科技有限公司-220v轉(zhuǎn)12v|220v轉(zhuǎn)5v|電源模塊|升降壓芯片 原創(chuàng),轉(zhuǎn)載請注明出處和附帶本文鏈接。