場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類？

場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型 、絕緣柵型(MOS)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型 ，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的 。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（mos管）
。

詳細(xì)情況請(qǐng)見(jiàn)：

場(chǎng)效應(yīng)管共分幾種？

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型(junctionFET-JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxidesemiconductorFET，簡(jiǎn)稱MOS-FET) 。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電 ，也稱為單極型晶體管
。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10~10Ω)、噪聲小
、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大 、易于集成
、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)
，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者 。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名
。

由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電 ，又稱單極型晶體管。FET英文為FieldEffectTransistor
，簡(jiǎn)寫(xiě)成FET 。場(chǎng)效應(yīng)管[2]是常見(jiàn)的電子元件，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件
。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω） 、噪聲小
、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大 、易于集成
、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大 。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高 ，因此耦合電容可以容量較小
，不必使用電解電容器
。2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換 。3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源
。5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。其特點(diǎn)為（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)VAH(柵源電壓)來(lái)控制ID（漏極電流）；（2）場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小 ，因此它的輸入電阻很大 。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電
，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；（6）由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低
。

場(chǎng)效應(yīng)管分為幾種？

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是一種電壓掌握電流器件。其特色是輸出電阻高 ，噪聲系數(shù)低，受溫度和輻射影響小 。因此特殊運(yùn)用于高敏銳度 、低噪聲電路中 
。

場(chǎng)效應(yīng)管的品種許多
，按構(gòu)造可分為兩大類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（IGFET）.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管又分為N溝道和P溝道兩種。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管次要指金屬--氧化物--半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）

 。MOS管又分為“耗盡型 ”和“加強(qiáng)型”兩種，而每一種又分為N溝道和P溝道 
。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管是應(yīng)用導(dǎo)電溝道之間耗盡區(qū)的寬窄來(lái)掌握電流的 ，輸出電阻（105～1015）之間；

絕緣柵型是應(yīng)用感應(yīng)電荷的若干來(lái)掌握導(dǎo)電溝道的寬窄從而掌握電流的巨細(xì)
，其輸出阻抗很高(柵極與其它電極相互絕緣)。它在硅片上的集成度高，因而在大范圍集成電路中占領(lǐng)極端主要的位置  。

場(chǎng)效應(yīng)管可作哪些分類？

場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道 ，主要以N溝道增強(qiáng)型為主
，也比較容易辨別N溝道和P溝道，各個(gè)品牌的命名方式就可以看出 ，比方的：FQPF5N60,N就代表N溝道
，F(xiàn)QP27P06,P就代表P溝道
。于PNP型三極管，C
、E極分別為其內(nèi)部?jī)蓚€(gè)PN結(jié)的正極 ，B極為它們共同的負(fù)極
，而對(duì)于NPN型三極管而言，則正好相反：C、E極分別為兩個(gè)PN結(jié)的負(fù)極 ，而B(niǎo)極則為它們共用的正極，根據(jù)PN結(jié)正向電阻小反向電阻大的特性就可以很方便的判斷基極和管子的類型。具體方法如下：將萬(wàn)用表?yè)茉赗深圳振邦微 mes;100或R×1K檔上 。紅筆接觸某一管腳
，用黑表筆分別接另外兩個(gè)管腳，這樣就可得到三組（每組兩次）的讀數(shù) ，當(dāng)其中一組二次測(cè)量都是幾百歐的低阻值時(shí)
，則紅表筆所接觸的管腳就是基極，且三極管的管型為PNP型；如用上述方法測(cè)得一組二次都是幾十至上百千歐的高阻值時(shí) ，則紅表筆所接觸的管腳即為基極
，且三極管的管型為NPN型。

MOSFET 有幾種類型 ，電路符號(hào)是什么樣？

一 、場(chǎng)效應(yīng)管mos場(chǎng)效應(yīng)管分類的分類 按溝道半導(dǎo)體材料mos場(chǎng)效應(yīng)管分類的不同mos場(chǎng)效應(yīng)管分類
，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種
。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型 ，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型mos場(chǎng)效應(yīng)管分類的
，也有增強(qiáng)型的 。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型mos場(chǎng)效應(yīng)管分類；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。見(jiàn)下圖 。

二、場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào)命名方法 第二種命名方法是AH ××#，AH 代表場(chǎng)效應(yīng)管 ，××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào)，#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格
。例如AH 14A
、AH 45G等。

三、場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù) 1 、I DSS — 飽和漏源電流 。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中
，柵極電壓U AH=0時(shí)的漏源電流
。 2
、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓 。 3、UT — 開(kāi)啟電壓
。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中 ，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。 4 、gM — 跨導(dǎo) 。是表示柵源電壓U AH — 對(duì)漏極電流I D的控制能力
，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UAH變化量的比值。gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)
。 5
、BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UAH一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓 。這是一項(xiàng)極限參數(shù) ，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS
。 6、PDSM — 最大耗散功率。也是一項(xiàng)極限參數(shù)
，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率 。使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量
。 7 、IDSM — 最大漏源電流。是一項(xiàng)極限參數(shù) ，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)
，漏源間所允許通過(guò)的最大電流 。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)IDSM.

常用的mos管有哪些

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構(gòu)成增強(qiáng)型或耗盡型 ，P溝道或N溝道共4種類型
，但理論應(yīng)用的只需增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS ，或者PMOS指的就是這兩種
。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。

一
、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極
，它們是：柵極；漏極；源極
。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较?。2、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào) ，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡
，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū) ，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí)
，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚 ，則漏 、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄
，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒(méi)有那么負(fù) ，則溝道變寬
，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化 ，就是說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件 。

二
、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管

1、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）的分類：絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式
，它們是N溝道型和P溝道型。無(wú)論是什么溝道，它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種
。

2 、它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成 ，所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
，簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管。

3
、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)它是利用UAH來(lái)控制“感應(yīng)電荷
”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況 ，然后達(dá)到控制漏極電流的目的 。在制造管子時(shí)
，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷 ，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通
，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VAH=0時(shí)也有較大的漏極電流ID
。當(dāng)柵極電壓改變時(shí) ，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變
，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗散型；當(dāng)柵壓為零 ，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型 。

mos場(chǎng)效應(yīng)管分類的介紹就聊到這里吧
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