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以N溝道MOS場效應(yīng)管5N60C為例 ,來詳細(xì)介紹一下具體的測量方法。
1.N溝道MOS場效應(yīng)管好壞的測量方法
2.用數(shù)字萬用表二極管檔正向測量5N60C的D-S兩極 。
測量5N60C好壞時,首先將萬用表量程開關(guān)調(diào)至二極管檔,將5N60C的G極懸空,用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極 ,若是好的管子,萬用表顯示為“OL ”,即溢出(見上圖)。
3.用數(shù)字萬用表二極管檔反向測量5N60C的D-S兩極。
然后調(diào)換紅黑表筆 ,再去測量D-S兩極,則萬用表顯示的讀數(shù)為一個硅二極管的正向壓降(見上圖)。
若MOS場效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞,用二極管檔測量時 ,萬用表顯示的讀數(shù)接近于零 。
4.用萬用表的二極管檔給5N60C柵源兩極(G-S兩極)之間的電容充電。對于N溝道MOS場效應(yīng)管充電時,紅表筆應(yīng)接管子的G極,黑表筆接管子的S極。
在測量完5N60C的D-S兩極 ,并且確實是好的之后,然后用二極管檔給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電 。
由于MOS場效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(GΩ讀作吉歐,1GΩ=1000MΩ) ,數(shù)字萬用表二極管檔的開路測量電壓約為2.8~3V,故用二極管檔的測量電壓給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后,可以使MOS場效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小,故用這個方法可以測量場效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞。
5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后 ,用電阻檔實測D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。
6.用萬用表電阻檔實測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω 。
上面為一個好的N溝道MOS場效應(yīng)管的測量數(shù)據(jù)。對于P溝道MOS場效應(yīng)管的測量方法與上述測量一樣,只是萬用表表筆需要調(diào)換一下極性。
擴展資料:
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的 ,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的 。
場效應(yīng)管(FET) ,把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管 。
場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體 ,所以FET管的GATE電流非常小。
最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體 。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
用數(shù)字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法:以N溝道MOS場效應(yīng)管為例 。
一、先確定MOS管的引腳:
1 、先對MOS管放電mos管怎么測試好壞 ,將三個腳短路即可mos管怎么測試好壞;
1、首先找出場效應(yīng)管的D極(漏極)。對于TO-252、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場效應(yīng)管mos管怎么測試好壞,它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的,故mos管怎么測試好壞我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測量管子的各個引腳,哪個引腳與散熱片相連 ,哪個引腳就是D極。
2、找到D極后,將萬用表調(diào)至二極管檔mos管怎么測試好壞;
3 、用黑表筆接觸管子的D極,用紅表筆分別接觸管子的另外兩個引腳 。若接觸到某個引腳時 ,萬用表顯示的讀數(shù)為一個硅二極管的正向壓降,那么該引腳即為S極(源極),剩下的那個引腳即為G極(柵極)。
二、MOS管好壞的測量:
1、當(dāng)把紅表筆放在S極上 ,黑表筆放在D極上,可以測出來這個導(dǎo)通壓降,一般在0.5V左右為正常;
2 、G腳測量 ,需要先對G極充下電,把紅表筆放在G極,黑表筆放在S極;
3、再次把紅表筆放在S極上 ,黑表筆放在D極上,可以測出來這個放大壓降,一般在0.3V左右為正常;
擴展資料
MOS管的主要參數(shù)
1、開啟電壓VT
開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;
標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管,VT約為3~6V;通過工藝上的改進(jìn) ,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
2 、直流輸入電阻RAH
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
MOS管的RAH可以很容易地超過1010Ω 。
3.、漏源擊穿電壓BVDS
在VAH=0(增強型)的條件下,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
ID劇增的原因有下列兩個方面:
(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿;
(2)漏源極間的穿通擊穿;
有些MOS管中,其溝道長度較短 ,不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū),使溝道長度為零,即產(chǎn)生漏源間的穿通 ,穿通后,源區(qū)中的多數(shù)載流子,將直接受耗盡層電場的吸引 ,到達(dá)漏區(qū),產(chǎn)生大的ID。
4、柵源擊穿電壓BVAH
在增加?xùn)旁措妷哼^程中,使柵極電流IG由零開始劇增時的VAH ,稱為柵源擊穿電壓BVAH。
5 、低頻跨導(dǎo)gm
在VDS為某一固定數(shù)值的條件下,漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo);
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)
一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)
6、導(dǎo)通電阻RON
導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對ID的影響,是漏極特性某一點切線的斜率的倒數(shù)
在飽和區(qū) ,ID幾乎不隨VDS改變,RON的數(shù)值很大,一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由于在數(shù)字電路中 ,MOS管導(dǎo)通時經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下,所以這時的導(dǎo)通電阻RON可用原點的RON來近似
·對一般的MOS管而言,RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)
7、極間電容
三個電極之間都存在著極間電容:柵源電容CAH 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
CAH和CGD約為1~3pF ,CDS約在0.1~1pF之間
8、低頻噪聲系數(shù)NF
噪聲是由管子內(nèi)部載流子運動的不規(guī)則性所引起的?!び捎谒拇嬖?,就使一個放大器即便在沒有信號輸人時,在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示 ,它的單位為分貝(dB) 。這個數(shù)值越小,代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)
場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝,它比雙極性三極管的要小
一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判別
(1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極
根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象 ,可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正 、反向電阻值。當(dāng)某兩個電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時 ,則該兩個電極分別是漏極D和源極S 。因為對結(jié)型場效應(yīng)管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極 ,另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極,測其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時,則黑表筆所接觸的電極為柵極 ,其余兩電極分別為漏極和源極 。若兩次測出的電阻值均很大,說明是PN結(jié)的反向,即都是反向電阻 ,可以判定是N溝道場效應(yīng)管,且黑表筆接的是柵極;若兩次測出的電阻值均很小,說明是正向PN結(jié) ,即是正向電阻,判定為P溝道場效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況,可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測試 ,直到判別出柵極為止。
(2)用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞
測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極 、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞 。具體方法:首先將萬用表置于R×10或R×100檔,測量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊中可知 ,各種不同型號的管,其電阻值是各不相同的),如果測得阻值大于正常值 ,可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測得阻值是無窮大,可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔,再測柵極G1與G2之間 、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值 ,當(dāng)測得其各項電阻值均為無窮大,則說明管是正常的;若測得上述各阻值太小或為通路,則說明管是壞的。要注意 ,若兩個柵極在管內(nèi)斷極,可用元件代換法進(jìn)行檢測 。
(3)用感應(yīng)信號輸人法估測場效應(yīng)管的放大能力
具體方法:用萬用表電阻的R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D ,給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場效應(yīng)管的柵極G,將人體的感應(yīng)電壓信號加到柵極上。這樣 ,由于管的放大作用,漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化 ,由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小,說明管的放大能力較差;表針擺動較大,表明管的放大能力大;若表針不動 ,說明管是壞的 。
根據(jù)上述方法,我們用萬用表的R×100檔,測結(jié)型場效應(yīng)管3DJ2F。先將管的G極開路 ,測得漏源電阻RDS為600Ω,用手捏住G極后,表針向左擺動,指示的電阻RDS為12kΩ ,表針擺動的幅度較大,說明該管是好的,并有較大的放大能力。
運用這種方法時要說明幾點:首先 ,在測試場效應(yīng)管用手捏住柵極時,萬用表針可能向右擺動(電阻值減小),也可能向左擺動(電阻值增加) 。這是由于人體感應(yīng)的交流電壓較高 ,而不同的場效應(yīng)管用電阻檔測量時的工作點可能不同(或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū))所致,試驗表明,多數(shù)管的RDS增大 ,即表針向左擺動;少數(shù)管的RDS減小,使表針向右擺動。但無論表針擺動方向如何,只要表針擺動幅度較大 ,就說明管有較大的放大能力。第二,此方法對MOS場效應(yīng)管也適用 。但要注意,MOS場效應(yīng)管的輸人電阻高,柵極G允許的感應(yīng)電壓不應(yīng)過高 ,所以不要直接用手去捏柵極,必須用于握螺絲刀的絕緣柄,用金屬桿去碰觸柵極 ,以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極,引起柵極擊穿。第三,每次測量完畢 ,應(yīng)當(dāng)G-S極間短路一下。這是因為G-S結(jié)電容上會充有少量電荷,建立起VAH電壓,造成再進(jìn)行測量時表針可能不動 ,只有將G-S極間電荷短路放掉才行 。
(4)用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管
首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下兩個腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來 ,對調(diào)表筆再測量一次,把其測得電阻值記下來,兩次測得阻值較大的一次,黑表筆所接的電極為漏極D;紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極 ,還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗證,即放大能力大的黑表筆所接的是D極;紅表筆所接地是8極,兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣 。當(dāng)確定了漏極D 、源極S的位置后 ,按D、S的對應(yīng)位置裝人電路,一般G1、G2也會依次對準(zhǔn)位置,這就確定了兩個柵極G1 、G2的位置 ,從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。
(5)用測反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小
對VMOS N溝道增強型場效應(yīng)管測量跨導(dǎo)性能時,可用紅表筆接源極S 、黑表筆接漏極D,這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的 ,管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔,此時表內(nèi)電壓較高 。當(dāng)用手接觸柵極G時,會發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化 ,其變化越大,說明管的跨導(dǎo)值越高;如果被測管的跨導(dǎo)很小,用此法測時,反向阻值變化不大。
二、.場效應(yīng)管的使用注意事項
(1)為了安全使用場效應(yīng)管 ,在線路的設(shè)計中不能超過管的耗散功率,最大漏源電壓 、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。
(2)各類型場效應(yīng)管在使用時,都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中 ,要遵守場效應(yīng)管偏置的極性 。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓,等等。
(3)MOS場效應(yīng)管由于輸人阻抗極高 ,所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。尤其要注意 ,不能將MOS場效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi),保存時最好放在金屬盒內(nèi),同時也要注意管的防潮 。
(4)為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿 ,要求一切測試儀器、工作臺 、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時,先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時 ,應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等;當(dāng)然,如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,焊接場效應(yīng)管是比較方便的 ,并且確保安全;在未關(guān)斷電源時,絕對不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意。
(5)在安裝場效應(yīng)管時,注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動 ,有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時,應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等 。
對于功率型場效應(yīng)管 ,要有良好的散熱條件。因為功率型場效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運用,必須設(shè)計足夠的散熱器,確保殼體溫度不超過額定值 ,使器件長期穩(wěn)定可靠地工作。
總之,確保場效應(yīng)管安全使用,要注意的事項是多種多樣,采取的安全措施也是各種各樣 ,廣大的專業(yè)技術(shù)人員,特別是廣大的電子愛好者,都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā) ,采取切實可行的辦法,安全有效地用好場效應(yīng)管 。
三.VMOS場效應(yīng)管
VMOS場效應(yīng)管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W) 、驅(qū)動電流?。?.1μA左右) ,還具有耐壓高(最高1200V)、工作電流大(1.5a~100A)、輸出功率高(1~250W) 、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍)、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用 。
VMOS場效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點,尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù) ,即在柵-源電壓不變的情況下,導(dǎo)通電流會隨管溫升高而減小,故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此 ,VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用。
眾所周知,傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極 、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動 。VMOS管則不同,從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點:第一 ,金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu);第二,具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動 ,而是自重?fù)诫sN+區(qū)(源極S)出發(fā),經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),最后垂直向下到達(dá)漏極D。電流方向如圖中箭頭所示 ,因為流通截面積增大,所以能通過大電流 。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應(yīng)管。
國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等 ,典型產(chǎn)品有VN401 、VN672、VMPT2等。
下面介紹檢測VMOS管的方法 。
1.判定柵極G
將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大,并且交換表筆后仍為無窮大,則證明此腳為G極 ,因為它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判定源極S、漏極D
由圖1可見,在源-漏之間有一個PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正 、反向電阻存在差異,可識別S極與D極 。用交換表筆法測兩次電阻 ,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時黑表筆的是S極,紅表筆接D極。
3.測量漏-源通態(tài)電阻RDS(on)
將G-S極短路 ,選擇萬用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極 ,阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。
由于測試條件不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W ,大于0.58W(典型值) 。
4.檢查跨導(dǎo)
將萬用表置于R×1k(或R×100)檔,紅表筆接S極,黑表筆接D極 ,手持螺絲刀去碰觸柵極,表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)愈大,管子的跨導(dǎo)愈高。
注意事項:
(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管 ,但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管,測量時應(yīng)交換表筆的位置 。
(2)有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護二極管,本檢測方法中的1、2項不再適用。
(3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊 ,專供交流電機調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,內(nèi)部有N溝道 、P溝道管各三只,構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu) 。
(4)現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品 ,是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應(yīng)管,其最高工作頻率fp=120MHz,IDSM=1A ,PDM=30W,共源小信號低頻跨導(dǎo)gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。
(5)使用VMOS管時必須加合適的散熱器后 。以VNF306為例,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后 ,最大功率才能達(dá)到30W。
(6)多管并聯(lián)后,由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,使放大器的高頻特性變壞,通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此 ,并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個,而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻 。
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首先,斷開控制器與電源連接,把控制器粗黑線與粗紅線碰接短路 ,這樣做的目的是放完內(nèi)部電容余電。
然后,把三根粗黃線對粗黑碰線短接,目的同上。一定要放電后再進(jìn)行測量。這三根粗黃線實際上是三根相線 。
做完以上準(zhǔn)備工作后 ,按以下三個步驟操作,即可判斷控制器好壞。
第一步:將萬用表置于二極管檔測量,用紅表筆接控制器負(fù)極 ,黑表筆依次測量控制器主線中的黃、綠 、藍(lán)線,讀數(shù)約在500左右(數(shù)字萬用表),三次讀數(shù)應(yīng)基本一致。
第二步:用萬用表黑表筆接控制器正極 ,紅表筆依次接控制器主線黃、綠、藍(lán)線,讀數(shù)約在500左右,三次讀數(shù)應(yīng)基本一致
第三步:如果第一、二步的測量正常,則表示無刷控制器基本正常 ,把控制器與車體線路正常連接,接通電源,拔掉制動線 ,用萬用表電壓檔測量轉(zhuǎn)把5V電壓是否正常 。
若以上測試正常,表示控制器基本正常,否則可判定控制器損壞。
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電動車控制器的作用
1 、驅(qū)動電機旋轉(zhuǎn)。
2、在轉(zhuǎn)把的控制下改變電機驅(qū)動電流 ,從而實現(xiàn)電機速度的調(diào)整 。
3、在閘把(剎把)的控制下切斷輸出電流,實現(xiàn)剎車控制。
4 、對蓄電池電壓進(jìn)行檢測,在蓄電池存儲的電壓接近“放電終止電壓”時 ,通過控制器面板(或儀表顯示盤)來顯示電量不足;提醒騎行者調(diào)整自己的行程,當(dāng)達(dá)到終止電壓時,通過取樣電阻將該信號送到比較器 ,由電路輸出保護信號,致使、保護電路按預(yù)先設(shè)定的程序發(fā)出指令,切斷電流以保護充電器和蓄電池。
5、過流保護,電流過大時過流保護電路動作 ,使電機停轉(zhuǎn),避免過流給電機和控制器帶來危害 。另外,部分控制器還具有防飛車保護 、巡行限速等功能。
一.紅左 ,黑中、右無窮大黑左,紅中、右無窮大紅中,黑右無窮大mos管怎么測試好壞;黑中紅右顯示530(左右)。其實場效應(yīng)管三極管很好判斷:有字面朝上從左到右依次為:G 、D、S ,有些管相反:S、D 、G 。我修顯示器、主板、電源都是從上面mos管怎么測試好壞的方法測絕對沒問題。你不信隨便拆塊板看一看,場效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場效應(yīng)晶體管的檢測。
二.1判別各電極與管型。用萬用表R×100檔,測量場效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值 。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆 ,這時兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D,而另一引腳為柵極G。再用萬用表R×10k檔測量兩引腳(漏極D與源極S)之間的正 、反向電阻值。正常時,正向電阻值為2kΩ左右 ,反向電阻值大于500kΩ 。在測量反向電阻值時,紅表筆所接引腳不動,黑表筆脫離所接引腳后,先與柵極G觸碰一下 ,然后再去接原引腳,觀察萬用表讀數(shù)的變化情況。若萬用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)?,則此紅表筆所接的即是源極S ,黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效,說明該管為N溝道場效應(yīng)管 。若萬用表讀數(shù)仍為較大值,則黑表筆接回原引腳不變 ,改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳,若此時萬用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)?,則此時黑表筆接的為源極S ,紅表筆接的是漏極D。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效,說明該管為P溝道場效應(yīng)晶體管。
2.判別其好壞 。用萬用表R×1k檔或R×10k檔,測量場效應(yīng)管任意兩腳之間的正、反向電阻值。正常時 ,除漏極與源極的正向電阻值較小外,其余各引腳之間(G與D、G與S)的正 、反向電阻值均應(yīng)為無窮大。若測得某兩極之間的電阻值接近0Ω,則說明該管已擊穿損壞 。另外,還可以用觸發(fā)柵極(P溝道場效應(yīng)晶體管用紅表筆觸發(fā) ,N溝道場效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā))的方法來判斷場應(yīng)管是否損壞。若觸發(fā)有效(觸發(fā)柵極G后,D、S極之間的正、反向電阻均變?yōu)?),則可確定該管性能良好。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.2因為柵極等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.3利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源。
編輯-Z
為什么要檢測mos管的好壞?
為了保護板上的其他元件 ,在將MOS管10N65連接到電路之前對其進(jìn)行測試至關(guān)重要 。mos管10N65主要有漏極 、源極和柵極三個引腳。
當(dāng)使用有故障的MOS管時,會發(fā)生漏極到柵極的短路,對電路不利。這種短路的結(jié)果可能是漏極電壓反饋 ,這也會影響柵極端子 。電壓到達(dá)該端后,通過柵極電阻進(jìn)一步傳輸?shù)津?qū)動電路,這種傳輸可能對驅(qū)動電路造成進(jìn)一步的損壞。因此 ,在使用前檢測mos管10N65的質(zhì)量可以避免損壞整個電路。那么zbwsemi的MOS管10N65如何測量好壞呢?
測量mos管10N65好壞時要注意的幾點
在測試mos管時,您需要采取一些預(yù)防措施 。主要是:
1、必須保證輸入電源大于等于MOS管10N65的閾值電壓。
2、MOS管的漏極電壓和柵極電壓不能超過擊穿電壓。
3 、應(yīng)選擇合適的限流電阻給LED供電 。
4、連接時應(yīng)始終使用柵源電阻。這將有助于避免柵極處的噪聲,也有助于釋放器件的寄生電容。
5、在mos管的柵極處應(yīng)始終使用低量程電阻 。
6 、最后 ,通過測試電路技術(shù)進(jìn)行測試時,一定要使用低端開關(guān)電路。否則,mos管將無法工作。
用萬用表測量mos管10N65的好壞——電阻測試
當(dāng)MOS管的柵端沒有觸發(fā)脈沖時,它的漏源電阻很高。電阻測試就是利用這個屬性來測試mos管10N65是否有故障 。測試也很簡單 ,只需要一個歐姆表或萬用表即可執(zhí)行。
做一個電阻檢查,無論數(shù)字萬用表探頭的極性如何,一個好的mos管應(yīng)該在漏極和源極之間有很高的電阻。
以下是進(jìn)行電阻測試的一些基本步驟:
1、無論歐姆表探頭的連接如何 ,功能良好的mos管10N65都應(yīng)指示高漏源電阻 。
2、也可以用萬用表檢查漏源電阻。將萬用表置于電阻模式開始測試,萬用表電阻讀數(shù)應(yīng)高到以兆歐為單位。
3、將萬用表的讀數(shù)與mos管10N65的數(shù)據(jù)表進(jìn)行比較 。如果您發(fā)現(xiàn)電阻讀數(shù)小于數(shù)據(jù)表上的值或為零,則存在故障。儀表或歐姆表應(yīng)顯示數(shù)據(jù)表上的電阻。
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