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以N溝道MOS場效應(yīng)管5N60C為例,來詳細(xì)介紹一下具體的測量方法 。
1.N溝道MOS場效應(yīng)管好壞的測量方法
2.用數(shù)字萬用表二極管檔正向測量5N60C的D-S兩極。
測量5N60C好壞時(shí) ,首先將萬用表量程開關(guān)調(diào)至二極管檔,將5N60C的G極懸空,用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極 ,若是好的管子,萬用表顯示為“OL”,即溢出(見上圖)。
3.用數(shù)字萬用表二極管檔反向測量5N60C的D-S兩極 。
然后調(diào)換紅黑表筆 ,再去測量D-S兩極,則萬用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降(見上圖)。
若MOS場效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞,用二極管檔測量時(shí) ,萬用表顯示的讀數(shù)接近于零。
4.用萬用表的二極管檔給5N60C柵源兩極(G-S兩極)之間的電容充電 。對于N溝道MOS場效應(yīng)管充電時(shí),紅表筆應(yīng)接管子的G極,黑表筆接管子的S極。
在測量完5N60C的D-S兩極,并且確實(shí)是好的之后 ,然后用二極管檔給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電。
由于MOS場效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(GΩ讀作吉?dú)W,1GΩ=1000MΩ),數(shù)字萬用表二極管檔的開路測量電壓約為2.8~3V ,故用二極管檔的測量電壓給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后,可以使MOS場效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小,故用這個(gè)方法可以測量場效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞 。
5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后 ,用電阻檔實(shí)測D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。
6.用萬用表電阻檔實(shí)測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。
上面為一個(gè)好的N溝道MOS場效應(yīng)管的測量數(shù)據(jù)。對于P溝道MOS場效應(yīng)管的測量方法與上述測量一樣,只是萬用表表筆需要調(diào)換一下極性 。
擴(kuò)展資料:
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的 ,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能 。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
場效應(yīng)管(FET) ,把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance,定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比 。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流 。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。
最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管 ,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET) 。因?yàn)镸OS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
用數(shù)字萬用表測量MOS管好壞及引腳四腳mos管怎么測試好壞視頻的方法:以N溝道MOS場效應(yīng)管為例。
一、先確定MOS管的引腳:
1 、先對MOS管放電,將三個(gè)腳短路即可四腳mos管怎么測試好壞視頻;
1、首先找出場效應(yīng)管的D極(漏極)。對于TO-252、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場效應(yīng)管 ,它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的,故四腳mos管怎么測試好壞視頻我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測量管子的各個(gè)引腳,哪個(gè)引腳與散熱片相連 ,哪個(gè)引腳就是D極 。
2 、找到D極后,將萬用表調(diào)至二極管檔四腳mos管怎么測試好壞視頻;
3、用黑表筆接觸管子的D極,用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳。若接觸到某個(gè)引腳時(shí) ,萬用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降,那么該引腳即為S極(源極),剩下的那個(gè)引腳即為G極(柵極)。
二、MOS管好壞的測量:
1 、當(dāng)把紅表筆放在S極上 ,黑表筆放在D極上,可以測出來這個(gè)導(dǎo)通壓降,一般在0.5 V左右為正常四腳mos管怎么測試好壞視頻;
2、G腳測量,需要先對G極充下電 ,把紅表筆放在G極,黑表筆放在S極;
3、再次把紅表筆放在S極上,黑表筆放在D極上 ,可以測出來這個(gè)放大壓降,一般在0.3 V左右為正常;
擴(kuò)展資料
MOS管的主要參數(shù)
1 、開啟電壓VT
開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;
標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管,VT約為3~6V;通過工藝上的改進(jìn) ,可以使MOS管的VT值降到2~3V 。
2、 直流輸入電阻RAH
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示
MOS管的RAH可以很容易地超過1010Ω。
3.、漏源擊穿電壓BVDS
在VAH=0(增強(qiáng)型)的條件下 ,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面:
(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿;
(2)漏源極間的穿通擊穿;
有些MOS管中,其溝道長度較短 ,不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū),使溝道長度為零,即產(chǎn)生漏源間的穿通 ,穿通后,源區(qū)中的多數(shù)載流子,將直接受耗盡層電場的吸引,到達(dá)漏區(qū) ,產(chǎn)生大的ID。
4、柵源擊穿電壓BVAH
在增加?xùn)旁措妷哼^程中,使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VAH,稱為柵源擊穿電壓BVAH 。
5 、低頻跨導(dǎo)gm
在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ,漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo);
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)
一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)
6、導(dǎo)通電阻RON
導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ,是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)
在飽和區(qū) ,ID幾乎不隨VDS改變,RON的數(shù)值很大,一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由于在數(shù)字電路中 ,MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下,所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似
·對一般的MOS管而言,RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)
7、極間電容
三個(gè)電極之間都存在著極間電容:柵源電容CAH 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
CAH和CGD約為1~3pF ,CDS約在0.1~1pF之間
8、低頻噪聲系數(shù)NF
噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動的不規(guī)則性所引起的。·由于它的存在,就使一個(gè)放大器即便在沒有信號輸人時(shí),在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示,它的單位為分貝(dB)。這個(gè)數(shù)值越小 ,代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)
場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝,它比雙極性三極管的要小
用萬能表檢測mos管好壞的方法:
將萬用表兩個(gè)表筆分別搭接在其他兩個(gè)極:給B極與任意一個(gè)極接一個(gè)10千歐姆電阻,電阻先不要接上 ,把表筆分別放在兩級,電阻這時(shí)再接觸,指針擺動越大證明該管子放大系數(shù)就越大 ,也就是說該管子就越好,反之越差 。
接電阻的那一端為C極;若是紅表筆為P管,黑表筆為N管。凡是不符合以上測量數(shù)據(jù)的三極管都是壞的。
萬用表的相關(guān)要求規(guī)定:
1、指針表讀取精度較差 ,但指針擺動的過程比較直觀,其擺動速度幅度有時(shí)也能比較客觀地反映了被測量的大?。ū热鐪y電視機(jī)數(shù)據(jù)總線(SDL)在傳送數(shù)據(jù)時(shí)的輕微抖動);數(shù)字表讀數(shù)直觀,但數(shù)字變化的過程看起來很雜亂 ,不太容易觀看 。
2 、數(shù)字萬用表的準(zhǔn)確度是測量結(jié)果中系統(tǒng)誤差與隨機(jī)誤差的綜合。它表示測量值與真值的一致程度,也反映測量誤差的大小。一般講準(zhǔn)確度愈高,測量誤差就愈小,反之亦然。
3、指針表內(nèi)一般有兩塊電池 ,一塊低電壓的1.5V,一塊是高電壓的9V或15V,其黑表筆相對紅表筆來說是正端 。數(shù)字表則常用一塊6V或9V的電池。在電阻檔,指針表的表筆輸出電流相對數(shù)字表來說要大很多,用R×1Ω檔可以使揚(yáng)聲器發(fā)出響亮的“噠 ”聲 ,用R×10kΩ檔甚至可以點(diǎn)亮發(fā)光二極管。
用一般指針表R*10K擋不但能測出好壞還能測出大致性能但要注意以下幾點(diǎn)
1,有些MOS管在D、S , G 、S二極間接有反向二極管必需加以區(qū)別如二極正反向均通則必壞無疑 。故能以該法找出S極
2,如表筆接DS二極并極性對應(yīng)以手指接觸黑表棒及G極可見管子導(dǎo)通當(dāng)手指離開還可維侍導(dǎo)通數(shù)秒(以上抗指N增強(qiáng)型)。
3,如以元珠筆等塑料摩擦頭發(fā)使之帶電靠近G極也有如此反應(yīng)、但切勿接觸有擊穿G極之可能。
測試MOS好壞只能用指針式萬用表才方便點(diǎn)四腳mos管怎么測試好壞視頻 ,測試時(shí)選擇歐姆R×10K檔四腳mos管怎么測試好壞視頻,這時(shí)電壓可達(dá)10.5V四腳mos管怎么測試好壞視頻,紅筆是負(fù)電位,黑筆是正電位 。
測試步驟四腳mos管怎么測試好壞視頻:
MOS管四腳mos管怎么測試好壞視頻的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路 、斷路、放大。其步驟如下:
1、把紅筆接到MOS的源極S上 ,黑筆接到MOS管的漏極上,好的表針指示應(yīng)該是無窮大。如果有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象 。
2、用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和源極上,然后把紅筆接到MOS的源極S上 ,黑筆接到MOS管的漏極上,這時(shí)表針指示的值一般是0,這時(shí)是下電荷通過這個(gè)電阻對MOS管的柵極充電 ,產(chǎn)生柵極電場,由于電場產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通,故萬用表指針偏轉(zhuǎn) ,偏轉(zhuǎn)的角度大,放電性越好。
3 、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開,萬用表紅黑筆不變 ,如果移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無窮大,則MOS管漏電,不變則完好。
4、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來,如果指針立即返回?zé)o窮大 ,則MOS完好 。
一.紅左,黑中、右無窮大黑左,紅中 、右無窮大紅中 ,黑右無窮大;黑中紅右顯示530(左右)。其實(shí)場效應(yīng)管三極管很好判斷四腳mos管怎么測試好壞視頻:有字面朝上從左到右依次為:G、D、S,有些管相反:S 、D、G。我修顯示器、主板 、電源都是從上面的方法測絕對沒問題。四腳mos管怎么測試好壞視頻你不信隨便拆塊板看一看,場效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場效應(yīng)晶體管的檢測 。
二.1判別各電極與管型。用萬用表R×100檔 ,測量場效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆,這時(shí)兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D,而另一引腳為柵極G 。再用萬用表R×10k檔測量兩引腳(漏極D與源極S)之間的正、反向電阻值。正常時(shí) ,正向電阻值為2kΩ左右,反向電阻值大于500kΩ。在測量反向電阻值時(shí),紅表筆所接引腳不動 ,黑表筆脫離所接引腳后,先與柵極G觸碰一下,然后再去接原引腳,觀察萬用表讀數(shù)的變化情況 。若萬用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)? ,則此紅表筆所接的即是源極S,黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效,說明該管為N溝道場效應(yīng)管。若萬用表讀數(shù)仍為較大值 ,則黑表筆接回原引腳不變,改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳,若此時(shí)萬用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)? ,則此時(shí)黑表筆接的為源極S,紅表筆接的是漏極D 。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效,說明該管為P溝道場效應(yīng)晶體管。
2.判別其好壞。用萬用表R×1k檔或R×10k檔 ,測量場效應(yīng)管任意兩腳之間的正 、反向電阻值 。正常時(shí),除漏極與源極的正向電阻值較小外,其余各引腳之間(G與D、G與S)的正、反向電阻值均應(yīng)為無窮大。若測得某兩極之間的電阻值接近0Ω ,則說明該管已擊穿損壞。另外,還可以用觸發(fā)柵極(P溝道場效應(yīng)晶體管用紅表筆觸發(fā),N溝道場效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā))的方法來判斷場應(yīng)管是否損壞。若觸發(fā)有效(觸發(fā)柵極G后,D、S極之間的正 、反向電阻均變?yōu)?) ,則可確定該管性能良好 。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.2因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.3利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時(shí)需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對自已時(shí),左柵中漏右源。
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