怎么用萬用表測量mos管的好壞?

以N溝道MOS場效應管5N60C為例4腳mos管測好壞 ，來詳細介紹一下具體4腳mos管測好壞的測量方法。

1.N溝道MOS場效應管好壞的測量方法

2.用數(shù)字萬用表二極管檔正向測量5N60C的D-S兩極 。

測量5N60C好壞時
，首先將萬用表量程開關調(diào)至二極管檔，將5N60C的G極懸空 ，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極
，若是好的管子，萬用表顯示為“OL” ，即溢出（見上圖）
。

3.用數(shù)字萬用表二極管檔反向測量5N60C的D-S兩極。

然后調(diào)換紅黑表筆
，再去測量D-S兩極，則萬用表顯示的讀數(shù)為一個硅二極管的正向壓降（見上圖） 。

若MOS場效應管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞 ，用二極管檔測量時，萬用表顯示的讀數(shù)接近于零
。

4.用萬用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電。對于N溝道MOS場效應管充電時
，紅表筆應接管子的G極，黑表筆接管子的S極 。

在測量完5N60C的D-S兩極 ，并且確實是好的之后
，然后用二極管檔給MOS場效應管的柵源兩極之間的電容充電
。

由于MOS場效應管的輸入電阻在GΩ級（GΩ讀作吉歐，1GΩ＝1000MΩ） ，數(shù)字萬用表二極管檔的開路測量電壓約為2.8～3V
，故用二極管檔的測量電壓給MOS場效應管的柵源兩極之間的電容充電后，可以使MOS場效應管D-S兩極之間的電阻變得很小 ，故用這個方法可以測量場效應管G-S兩極之間是否損壞。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后
，用電阻檔實測D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω 。

6.用萬用表電阻檔實測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。

上面為一個好的N溝道MOS場效應管的測量數(shù)據(jù)
。對于P溝道MOS場效應管的測量方法與上述測量一樣，只是萬用表表筆需要調(diào)換一下極性。

擴展資料：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管 ，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體 。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的
，4腳mos管測好壞他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)
。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的 ，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的 。

場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化
。FET的增益等于它的transconductance
，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（N溝道耗盡型MOS管） 。而P溝道常見的為低壓mos管
。

場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體 ，所以FET管的GATE電流非常小 。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體
。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管
，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場合取代了雙極型晶體管 。

請問使用萬用表如何檢測MOS管好壞

萬用表檢測MOS管好壞的簡便方法

1.用黑表筆接在D極上 ，紅表筆接在S極上
，一般有一個500-600的阻值

2.在黑表筆不動的前提下，用紅表筆點一下G極 ，然后再用紅表筆測S極
，就會出現(xiàn)導通

3.紅表筆接D極，黑表筆點一下G極后再接S極 ，測得的阻值和1測的是一樣的則說明MOS管工作正常

MOS管如何檢測其是否燒壞了？謝謝回答

測試MOS好壞只能用指針式萬用表才方便點
，測試時選擇歐姆R×10K檔，這時電壓可達10.5V ，紅筆是負電位，黑筆是正電位。

測試步驟：

MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路 、斷路
、放大
。其步驟如下：

1、把紅筆接到MOS的源極S上
，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應該是無窮大。如果有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象 。

2 、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和源極上 ，然后把紅筆接到MOS的源極S上
，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0 ，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電
，產(chǎn)生柵極電場，由于電場產(chǎn)生導致導電溝道致使漏極和源極導通 ，故萬用表指針偏轉
，偏轉的角度大，放電性越好
。

3
、把連接柵極和源極的電阻移開 ，萬用表紅黑筆不變
，如果移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無窮大，則MOS管漏電 ，不變則完好。

4、然后一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來，如果指針立即返回無窮大
，則MOS完好 。

電路中MOS管的好壞該如何判斷？

一.紅左，黑中 、右無窮大黑左 ，紅中
、右無窮大紅中
，黑右無窮大；黑中紅右顯示530（左右）
。其實場效應管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G、D 、S，有些管相反：S、D
、G。我修顯示器、主板 、電源都是從上面的方法測絕對沒問題 。你不信隨便拆塊板看一看 ，場效應管在電路圖板的布局及應VMOS大功率場效應晶體管的檢測
。

二．1判別各電極與管型。用萬用表R×100檔
，測量場效應晶體管任意兩引腳之間的正
、反向電阻值 。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆，這時兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D ，而另一引腳為柵極G
。再用萬用表R×10k檔測量兩引腳（漏極D與源極S）之間的正、反向電阻值。正常時
，正向電阻值為2kΩ左右，反向電阻值大于500kΩ 。在測量反向電阻值時 ，紅表筆所接引腳不動
，黑表筆脫離所接引腳后，先與柵極G觸碰一下 ，然后再去接原引腳，觀察萬用表讀數(shù)的變化情況。若萬用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)?
，則此紅表筆所接的即是源極S，黑表筆所接為漏極D
。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效 ，說明該管為N溝道場效應管。若萬用表讀數(shù)仍為較大值
，則黑表筆接回原引腳不變，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳 ，若此時萬用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)?
，則此時黑表筆接的為源極S，紅表筆接的是漏極D 。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效 ，說明該管為P溝道場效應晶體管
。

2．判別其好壞。用萬用表R×1k檔或R×10k檔
，測量場效應管任意兩腳之間的正 、反向電阻值 。正常時，除漏極與源極的正向電阻值較小外 ，其余各引腳之間（G與D
、G與S）的正、反向電阻值均應為無窮大
。若測得某兩極之間的電阻值接近0Ω
，則說明該管已擊穿損壞。另外，還可以用觸發(fā)柵極（P溝道場效應晶體管用紅表筆觸發(fā) ，N溝道場效應管用黑表筆觸發(fā)）的方法來判斷場應管是否損壞 。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后，D 、S極之間的正
、反向電阻均變?yōu)?）
，則可確定該管性能良好
。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導通電壓.2因為柵極等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.3利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源。

電動車控制器MOS管如何檢測好壞

首先,斷開控制器與電源連接，把控制器粗黑線與粗紅線碰接短路 ，這樣做的目的是放完內(nèi)部電容余電 。

然后
，把三根粗黃線對粗黑碰線短接，目的同上
。一定要放電后再進行測量。這三根粗黃線實際上是三根相線 。

做完以上準備工作后 ，按以下三個步驟操作
，即可判斷控制器好壞。

第一步：將萬用表置于二極管檔測量，用紅表筆接控制器負極 ，黑表筆依次測量控制器主線中的黃、綠 、藍線
，讀數(shù)約在500左右（數(shù)字萬用表），三次讀數(shù)應基本一致
。

第二步：用萬用表黑表筆接控制器正極 ，紅表筆依次接控制器主線黃
、綠、藍線
，讀數(shù)約在500左右，三次讀數(shù)應基本一致

第三步：如果第一 、二步的測量正常 ，則表示無刷控制器基本正常，把控制器與車體線路正常連接
，接通電源，拔掉制動線 ，用萬用表電壓檔測量轉把5V電壓是否正常。

若以上測試正常
，表示控制器基本正常，否則可判定控制器損壞 。

擴展資料

電動車控制器的作用

1、驅(qū)動電機旋轉
。

2
、在轉把的控制下改變電機驅(qū)動電流 ，從而實現(xiàn)電機速度的調(diào)整。

3、在閘把（剎把）的控制下切斷輸出電流
，實現(xiàn)剎車控制 。

4 、對蓄電池電壓進行檢測，在蓄電池存儲的電壓接近“放電終止電壓 ”時 ，通過控制器面板（或儀表顯示盤）來顯示電量不足；提醒騎行者調(diào)整自己的行程
，當達到終止電壓時，通過取樣電阻將該信號送到比較器 ，由電路輸出保護信號
，致使
、保護電路按預先設定的程序發(fā)出指令，切斷電流以保護充電器和蓄電池
。

5、過流保護 ，電流過大時過流保護電路動作，使電機停轉
，避免過流給電機和控制器帶來危害。另外，部分控制器還具有防飛車保護 、巡行限速等功能 。

MOS管用數(shù)字萬用表怎么測其好壞及引腳？

用數(shù)字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場效應管為例
。

一
、先確定MOS管的引腳：

1、先對MOS管放電 ，將三個腳短路即可；

1 、首先找出場效應管的D極（漏極）。對于TO-252
、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場效應管
，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的，故我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測量管子的各個引腳 ，哪個引腳與散熱片相連
，哪個引腳就是D極 。

2、找到D極后，將萬用表調(diào)至二極管檔；

3 、用黑表筆接觸管子的D極 ，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個引腳
。若接觸到某個引腳時
，萬用表顯示的讀數(shù)為一個硅二極管的正向壓降，那么該引腳即為S極（源極） ，剩下的那個引腳即為G極（柵極）。

二
、MOS管好壞的測量：

1、當把紅表筆放在S極上
，黑表筆放在D極上，可以測出來這個導通壓降 ，一般在0.5V左右為正常；

2 、G腳測量，需要先對G極充下電
，把紅表筆放在G極，黑表筆放在S極；

3、再次把紅表筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上
，可以測出來這個放大壓降，一般在0.3V左右為正常；

擴展資料

MOS管的主要參數(shù)

1
、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；

標準的N溝道MOS管 ，VT約為3～6V；通過工藝上的改進
，可以使MOS管的VT值降到2～3V 。

2、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時以流過柵極的柵流表示

MOS管的RAH可以很容易地超過1010Ω。

3. 、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH=0（增強型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中 ，其溝道長度較短
，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零 ，即產(chǎn)生漏源間的穿通
，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子 ，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區(qū)
，產(chǎn)生大的ID
。

4
、柵源擊穿電壓BVAH

在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VAH ，稱為柵源擊穿電壓BVAH。

5、低頻跨導gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下
，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導；

gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6 、導通電阻RON

導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū)
，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中
，MOS管導通時經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似

·對一般的MOS管而言 ，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7
、極間電容

三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH和CGD約為1～3pF
，CDS約在0.1～1pF之間

8 、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運動的不規(guī)則性所引起的 。·由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時 ，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB）
。這個數(shù)值越小
，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)

場效應管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝，它比雙極性三極管的要小

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